Mittelgeber : BMFT
Forschungsbericht : 1994-1996
Tel./ Fax.:
Beim Aufdampfen ultradünner Schichten von Oligothiophenen auf Halbleiteroberflächen können durch Variation der Aufdampfparameter Schichten unterschiedlicher Struktur und Ordnung präpariert werden. Beim Eindiffundieren von Oligothiophenen in orientierte Schichten zyklischer Siloxane werden die Thiophene elektronisch isoliert, sie nehmen dabei die Orientierung der Siloxanmatrix an. Übermolekulare Ordnung und molekulare Orientierung werden mit Hilfe der polarisierten FTIR-ATR-Spektroskopie im Hoch- und Ultrahochvakuum bestimmt. Der Diffusionsprozeß wird in Kombination mit spektraler Interferometrie und Oberflächenplasmonenresonanz mit Hilfe zeitaufgelöster FTIR-ATR-Spektroskopie verfolgt. Die Photoleitfähigkeit kann kontaktfrei über die photoinduzierte Infrarotabsorption charakterisiert werden.
INDEX HOME SUCHEN KONTAKT LINKS
qvf-info@uni-tuebingen.de(qvf-info@uni-tuebingen.de) - Stand: 30.11.96